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Typical Characteristics
LTF3216D-F17K
ATT: AMPS
ATT: PCS
12
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4
2
3
4
1
S21 LOG 10dB
START 0.5GHz
STOP 3.0GHz
S21 LOG 10dB
START 0.5GHz
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1 2
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1
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S21 LOG 10dB
START 0.5GHz
STOP 3.0GHz
S21 LOG 10dB
START 0.5GHz
STOP 3.0GHz
1
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S21 LOG 10dB
START 0.5GHz
STOP 3.0GHz
S21 LOG 10dB
START 0.5GHz
STOP 3.0GHz
LTF3216D-F25F
ATT: EGSM
ATT: DCS
LTF3216D-F17S
ATT: AMPS
ATT: PCS
LTF3216D/2012D-F
Series
Multilayer Chip Diplexer
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LTF3216D-F25F 1710 MHz(Tx)-1880 MHz(Tx), 880 MHz(Rx)-960 MHz(Rx), DUPLEXER
LTF3216D-F17F 1893 MHz(Tx)-1920 MHz(Tx), 810 MHz(Rx)-960 MHz(Rx), DUPLEXER
LTF2012D-F25B 1710 MHz(Tx)-1990 MHz(Tx), 880 MHz(Rx)-960 MHz(Rx), DUPLEXER
LTF3216D-F17S 1850 MHz(Tx)-1990 MHz(Tx), 824 MHz(Rx)-894 MHz(Rx), DUPLEXER
LTF3216D-F25S 1710 MHz(Tx)-1880 MHz(Tx), 880 MHz(Rx)-960 MHz(Rx), DUPLEXER
LTF3216D-F18S 1893 MHz(Tx)-1920 MHz(Tx), 810 MHz(Rx)-960 MHz(Rx), DUPLEXER
LTF3216L-F1R3GL LOW PASS FILTER
LTF3216L-F1R3G LOW PASS FILTER
相关代理商/技术参数
LTF4022T-100M-D 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 190 mOhm 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±10% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:950mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:190 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1
LTF4022T-150M-D 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 1A 260 mOhm Max 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:15μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:760mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:260 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1
LTF4022T-1R2N-D 功能描述:1.2μH Shielded Wirewound Inductor 3.3A 28 mOhm Max 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.2μH 容差:±30% 额定电流:3.3A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:28 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1
LTF4022T-1R8N-D 功能描述:1.8μH Shielded Wirewound Inductor 3A 34 mOhm Max 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.8μH 容差:±30% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:34 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1
LTF4022T-220M-D 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 400mA 370 mOhm Max 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:400mA 电流 - 饱和值:660mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:370 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1
LTF4022T-2R2N-D 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 41 mOhm Max 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:41 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1
LTF4022T-330M-D 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 720mA 560 mOhm Max 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:33μH 容差:±20% 额定电流:720mA 电流 - 饱和值:520mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:560 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1
LTF4022T-3R3N-D 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 64 mOhm Max 2-SMD 制造商:tdk corporation 系列:LTF4022-D 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.3μH 容差:±30% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:1.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:64 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.217" 长 x 0.157" 宽（5.50mm x 4.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.087"（2.20mm） 标准包装:1